[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201580054605.1 | 申请日： | 2015-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN106796959A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 齐藤贵翁;神崎庸辅;高丸泰;井手启介;金子诚二 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C23C16/42;H01L21/316;H01L21/336;H01L21/363 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳,杨艺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在包含由氧化物半导体构成的半导体层的半导体装置中，抑制TFT间的特性的参差不齐的产生。在由氧化物半导体构成的半导体层(11)的上层形成钝化膜(17)的半导体装置(100)的制造过程中，以使得半导体层(11)的与钝化膜(17)的界面的纯金属比率(纯金属与半导体层(11)的所有构成成分的比例)高于该半导体层(11)的主体中的纯金属比率的方式，设定钝化膜(17)的成膜条件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其是以形成薄膜晶体管的方式层叠有包含由氧化物半导体构成的半导体层的多个层的半导体装置，该半导体装置的特征在于：在所述半导体层中，表示纯金属与所述氧化物半导体的所有构成成分的比例的纯金属比率，与所述半导体层的主体中相比，在所述半导体层的与所述半导体层的上层的界面更高。
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