[发明专利]用于沿着制造工艺线测量晶片的辐射及温度暴露的方法及系统

摘要

一种用于测量辐射强度及温度的测量晶片装置包含晶片组合件，所述晶片组合件包含一或多个空腔。所述测量晶片装置进一步包含检测器组合件。所述检测器组合件安置于所述晶片组合件的所述一或多个空腔内。所述检测器组合件包含一或多个光传感器。所述检测器组合件进一步经配置以执行对入射于所述晶片组合件的表面上的紫外光强度的直接或间接测量。所述检测器组合件进一步经配置以基于所述一或多个光传感器的一或多个特性确定所述晶片组合件的一或多个部分的温度。

主权项

一种用于测量辐射强度及温度的测量晶片设备，其包括：晶片组合件，其包含一或多个空腔；及检测器组合件，所述检测器组合件的至少一部分安置于所述晶片组合件的所述一或多个空腔内，所述检测器组合件包含一或多个光传感器，所述检测器组合件经配置以执行对入射于所述晶片组合件的至少一个表面上的紫外光的强度的直接测量或对入射于所述晶片组合件的所述至少一个表面上的紫外光的所述强度的间接测量中的至少一者，其中所述检测器组合件进一步经配置以在测量入射于所述晶片组合件的所述至少一个表面上的所述紫外光的所述强度后基于所述一或多个光传感器的一或多个特性确定所述晶片组合件的一或多个部分的温度。