[发明专利]通过气相沉积法在挠性基板上成膜的方法在审
| 申请号： | 201580055179.3 | 申请日： | 2015-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN106795623A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 今真人 | 申请（专利权）人： | 凸版印刷株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/56;C23C16/455;C23C16/54;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 张苏娜,常海涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为了使整个装置小型化，并且提高效率从而提高生产率，提供通过气相沉积法在挠性基板上成膜的方法。成膜方法包括使挠性基板通过真空室内的其中导入有含金属或硅的原料气体的第一区域，从而使原料气体中含有的成分吸附到挠性基板上的工序；以及使挠性基板通过真空室内的与第一区域相隔离并且包括含金属或硅的靶材的第二区域，从而进行溅射成膜的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 沉积 挠性基板上成膜 方法 | ||
【主权项】：
一种在挠性基板上制作薄膜的成膜方法，其包括以下工序：使所述挠性基板通过真空室内的其中导入有含金属或硅的原料气体的第一区域，从而使所述原料气体中所含的成分吸附到所述挠性基板上的工序；以及使所述挠性基板通过所述真空室内的与所述第一区域相隔离并且包括含金属或硅的靶材的第二区域，从而进行溅射成膜的工序。
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