[发明专利]卤化硅烷齐聚物的提纯方法

摘要

本发明涉及一种卤化硅烷齐聚物的提纯方法，其中的卤化硅烷齐聚物可以是纯的化合物，也可以是一系列化合物的混合物，这些化合物中的每一种至少带有一个直接键合的Si‑Si，这些硅烷齐聚物的取代基只能是卤素，或者卤素和氢原子，在具有不同原子组成成分的取代基中，硅原子与其他原子的原子比必须大于3:2，在提纯的过程中，至少针对卤化硅烷齐聚物并通过分离卤化硅烷齐聚物实现提高卤化硅烷齐聚物的纯度。根据现有技术，诸如HSiCl3等卤化甲硅烷可以使用有机化合物(尤其是含有氨基的基团的聚合物)进行处理，对经过上述处理的混合物进行分离，即得到提纯的卤化甲硅烷。

主权项

卤化硅烷齐聚物的提纯方法，所述卤化硅烷齐聚物为SinX2n+2，其为纯的化合物或者化合物的混合物，其中n＝2至n＝6，并且其中取代基X包括氯原子或者氯原子和氢原子，其特征在于：(a)在卤化硅烷齐聚物中加入氟化物，所述氟化物可以是以纯净物的形式和/或氟化物的混合物和/或含氟的化合物和/或含氟的添加剂，加入氟化物的量，即以相对于卤化硅烷齐聚物的量计算记作F‑的量，应大于1ppb，优选大于100ppb，尤其优选大于1ppm，特别优选大于10ppm，(b)至少有一个处理阶段，至少在该处理阶段期间氟化物对卤化硅烷齐聚物产生作用，在处理阶段中，至少包括一处理流程，该流程是由从包括有搅拌、摇摆、晃动、对回流液体加热、扩散和导出的组中选出的若干操作步骤组成的，优选包括至少两个处理阶段，且上述处理阶段包括搅拌和对回流液体加热，(c)至少有一个分离流程，以将卤化硅烷齐聚物和其他物质隔绝，该流程是由从包括有滗析、过滤、蒸馏、升华的组中选出的若干操作步骤组成的，(d)在对卤化硅烷齐聚物进行提纯处理之后，其中含有的总金属含量降低。