[发明专利]纳米结构多孔热电发生器在审
| 申请号： | 201580056464.7 | 申请日： | 2015-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN107074666A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | J·卡贝利 | 申请（专利权）人： | 莫西克里克科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/64 | 分类号： | C04B35/64;H01L35/22;H01L35/26;H01L35/34 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 李跃龙 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 制造热电材料的方法和工艺，更特别为制造纳米级掺杂型硅基半导体材料的方法和工艺，以便在由回收的废热制造电能中用作热电体。基本无氧化剂和掺杂的硅粒料破裂并烧结以形成多孔纳米级硅基热电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 结构 多孔 热电 发生器 | ||
【主权项】：
制造掺杂型热电材料的方法，包括：将半导体基材料的粒料与掺杂剂混合；研磨含有掺杂剂的半导体基材料粒料，以使得所述粒料具有小于3,000纳米的中值尺寸，并且是基本上等轴的；和在基本不含氧的气氛中烧结含有掺杂剂的所述粒料以形成掺杂型热电材料。
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