[发明专利]单晶硅晶圆的热处理法有效
| 申请号： | 201580056672.7 | 申请日： | 2015-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN107078057B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 曲伟峰;田原史夫;樱田昌弘;高桥修治 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;C30B29/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京京万通知识产权代理有限公司 11440 | 代理人： | 许天易 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，对于单晶硅晶圆施加RTA处理，将全平面为Nv区域的单晶硅晶圆，或是全平面为包含有OSF区域的Nv区域的单晶硅晶圆予以配置于RTA炉内，在将含有NH |
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| 搜索关键词： | 单晶硅 热处理 | ||
【主权项】：
一种单晶硅晶圆的热处理方法，对于单晶硅晶圆施以快速热退火(Rapid Thermal Annealing,RTA)处理，其特征在于：将全平面为Nv区域的单晶硅晶圆，或是全平面为包含有氧化引致迭差区域(oxidation‑induced stacking fault,OSF)的Nv区域的单晶硅晶圆予以配置于RTA炉内，在将含有NH3的气体供给至该RTA炉内的同时，以未达硅与NH3的反应温度的温度进行预备加热，之后停止供给该含有NH3的气体并且开始供给Ar气体，于残留有该NH3气体的Ar气体氛围下开始RTA处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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