[发明专利]含有铅-钨基氧化物的厚膜糊料以及其在半导体装置制造中的用途有效
申请号: | 201580056731.0 | 申请日: | 2015-10-19 |
公开(公告)号: | CN107077908B | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | K·A·伯纳迪娜;B·J·罗琳;P·D·韦努伊 | 申请(专利权)人: | E.I.内穆尔杜邦公司 |
主分类号: | H01B1/16 | 分类号: | H01B1/16;H01B1/22;H01L31/0224;H01L31/18;C03C3/12;C03C8/10;C03C8/18;C09D5/24 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 江磊;朱黎明 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种用于印刷具有一个或多个绝缘层的太阳能电池装置的正侧面的厚膜糊料和一种用于实施此的方法。该厚膜糊料包含分散在有机介质中的导电金属源和铅‑钨基氧化物。本发明还提供了一种包含由该厚膜糊料形成的电极的半导体装置。 | ||
搜索关键词: | 含有 氧化物 糊料 及其 半导体 装置 制造 中的 用途 | ||
【主权项】:
一种厚膜糊料组合物,包含:a)80‑99.5wt%的选自下组的导电金属源,该组由以下各项组成:Ag、Cu、Au、Pd、Pt、Sn、Al和Ni;b)0.5至20wt%的无钒、无碲的铅‑钨基氧化物;以及c)有机介质;其中所述导电金属源和所述无钒、无碲的铅‑钨基氧化物分散在所述有机介质中,并且其中以上wt%是基于所述导电金属源和所述无钒、无碲的铅‑钨基氧化物的总重量,所述无钒、无碲的铅‑钨基氧化物包含55‑88wt%的PbO、12‑25wt%的WO3和0‑20wt%的一种或多种选自下组的附加氧化物,该组由以下各项组成:B2O3、Bi2O3、SiO2、Al2O3、Li2O、K2O、Rb2O、Na2O、Cs2O和MoO3,其中PbO、WO3和该一种或多种附加氧化物的wt%是基于所述无钒无碲的铅‑钨基氧化物的总重量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于E.I.内穆尔杜邦公司,未经E.I.内穆尔杜邦公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580056731.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种解决刚挠结合板叠构不对称造成的板翘曲方法
- 下一篇:高厚度PCB增层方法