[发明专利]半导体基板用蚀刻液

摘要

本发明涉及用于处理太阳能电池用半导体基板的表面的碱性蚀刻液，其是含有以通式(1)表示的至少一种羟基苯乙烯类聚合物以及碱性剂的蚀刻液。根据本发明，能够发挥以下效果可在相对低温侧以更短时间对太阳能电池用半导体基板形成结构，生产性优异。

主权项

蚀刻液，其是用于处理太阳能电池用半导体基板表面的碱性蚀刻液，含有碱性剂以及下述通式(1)所表示的至少一种羟基苯乙烯类聚合物，[化1]式中，m以及n分别为m≥0、n≥3，通式(1)所表示的聚合物的重量平均分子量为满足1000~5万的范围的任意的数；k、p、u分别为0≤k≤2、0≤p≤2以及0＜u≤2，其中，k、p、u表示聚合物中的平均值；R1~R3为H或碳原子数1~5的烷基；X为聚合性乙烯基类单体的构成单元；Y、Z相同或不同，且为选自[化2]或者碳原子数1~18的烷基或碳原子数6~18的芳基的取代基，式中，M为H、碱金属、碱土金属或有机阳离子；Y1、Y4为卤素；Y2‑、Y3‑为反离子；W为S或O；R4~R8相同或不同，且为直链或支链烷基、烷基衍生物基、芳香基或H，而且R6和R7任选经由N基形成环；R9~R15相同或不同，且为直链或支链烷基、烷基衍生物基、芳香基或H；q、s、t分别为0或1；r为0、1或2。