[发明专利]可变高压射频衰减器在审
| 申请号： | 201580057727.6 | 申请日： | 2015-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN107078710A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | B·J·卡钦斯基;E·特洛弗茨 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H03H7/25 | 分类号： | H03H7/25;H03H11/24;H01L23/522;H01L27/08;H01L29/94;H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 陈炜,袁逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种可变衰减器可与高压射频信号联用。该衰减器可以最低的衰减水平提供几乎不具有损耗的宽动态范围。该衰减器可被实现在数字集成电路工艺中并占用小的集成电路面积。另外，可减小对SoC外部的电路元件的使用。该衰减器使用并联连接到RF输入(RFp、RFn)和RF输出(OUTp、OUTn)的多个衰减器单元(100、110、120、130)。每个衰减器单元使用电容性分压器，这些电容性分压器包括耦合电容器(101、102、111、112、121、122、131、132)以及通过开关(107、108、117、118、127、128、137、138)连接到接地的分压电容器(103、104、113、114、123、124、133、134)。耦合电容器和分压电容器布局在相同的集成电路区域中。电容器还被布局为使得RF输入将RF输出与接地屏蔽以避免RF输出上的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 高压 射频 衰减器 | ||
【主权项】：
一种用于选择性地衰减RF输入以产生RF输出的高压射频(RF)衰减器，所述衰减器包括：衰减器单元，包括耦合电容器，所述耦合电容器具有连接到所述RF输入的第一端子和连接到所述RF输出的第二端子，以及分压电容器，所述分压电容器具有连接到所述RF输出的第一端子和连接到至接地参考的开关的第二端子，其中，所述耦合电容器和所述分压电容器形成在相同的集成电路区域中。
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