[发明专利]改进BCD技术中的横向BJT特性有效
| 申请号： | 201580058252.2 | 申请日： | 2015-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN107078059B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 纳塔莉娅·拉夫洛夫斯卡娅;阿列克谢·萨多夫尼科夫 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/73 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
在使用BiCMOS工艺形成的横向BJT中，通过形成朝向基极接触件(340)具有较低掺杂级的分级集电极接触区域(320)来改进集电极到发射极击穿电压BV |
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| 搜索关键词： | 改进 bcd 技术 中的 横向 bjt 特性 | ||
【主权项】：
一种横向双极结型晶体管BJT，其包括：集电极、具有基极接触件的基极、及发射极，其中所述集电极包含朝向所述基极接触件延伸的分级集电极接触件，随着所述分级集电极接触件越来越接近所述基极接触件，所述分级集电极接触件具有在大约2.5μm的距离内从大体上1e16/cm3下降到大体上1e15/cm3的掺杂浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
