[发明专利]半导体器件、天线开关电路和无线通信装置有效
| 申请号： | 201580058262.6 | 申请日： | 2015-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN107078062B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 竹内克彦 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/337 | 分类号： | H01L21/337;H01L21/338;H01L27/098;H01L29/778;H01L29/808;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 姚鹏;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体器件设置有层叠体、栅极电极、源极电极、漏极电极和盖层。所述层叠体包括沟道层和第一低电阻区域。所述沟道层由化合物半导体制成。所述第一低电阻区域被设置为所述层叠体的表面侧的一部分。所述栅极电极、所述源极电极和所述漏极电极均设置在所述层叠体的上表面侧。所述盖层设置在所述第一低电阻区域与所述源极电极和所述漏极电极之中的至少一者之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 天线 开关电路 无线通信 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其包括：层叠体，所述层叠体包括由化合物半导体制成的沟道层和设置在所述层叠体的表面侧的一部分中的第一低电阻区域；栅极电极、源极电极和漏极电极，它们均设置在所述层叠体的上表面侧；和盖层，所述盖层设置在所述第一低电阻区域与所述源极电极和所述漏极电极之中的至少一者之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
