[发明专利]光电子器件和制造光电子器件的方法

摘要

光电子器件和制造光电子器件的方法。提供了一种光电子器件，该器件包括包含有机金属卤化物钙钛矿的有源层和通过真空蒸发形成并被配置成传输空穴载流子的空穴传输层(HTL)。HTL包括：第一子层，该第一子层包括掺杂有n掺杂物并与有源层相邻设置的空穴传输材料(HTM)；第二子层，该第二子层包括未掺杂并与第一子层相邻设置的HTM；以及第三子层，该第三子层包括掺杂有p掺杂物并且与第二子层相邻设置的HTM。用于n掺杂子层的n掺杂物的掺杂浓度被确定为使n掺杂子层的最高占据分子轨道能级与钙钛矿有源层的价带最大能级相匹配。

主权项

1.一种光电子器件，所述光电子器件包括：有源层，所述有源层包括有机金属卤化物钙钛矿；以及空穴传输层HTL，所述HTL通过真空蒸发形成并且被配置成传输空穴载流子，所述HTL包括：第一子层，所述第一子层包括掺杂有n掺杂物并且与所述有源层相邻设置的空穴传输材料HTM；第二子层，所述第二子层包括未掺杂并且与所述第一子层相邻设置的所述HTM；以及第三子层，所述第三子层包括掺杂有p掺杂物并且与所述第二子层相邻设置的所述HTM。