[发明专利]等离子体蚀刻方法在审
| 申请号： | 201580059034.0 | 申请日： | 2015-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN107112232A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 松浦豪 | 申请（专利权）人： | 日本瑞翁株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙)11413 | 代理人： | 邵秋雨,赵曦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明为等离子体蚀刻方法，其为在等离子体条件下使用处理气体的等离子体蚀刻方法，其特征在于，使用选自由式(I)表示的氢氟醚中的至少1种作为处理气体。式(1)中，R表示氢原子或者由CnF2n+1表示的氟烷基。m、n表示满足1≤m≤3、3≤(m+n)≤4的整数。根据本发明，提供在硅氧化物的蚀刻中即使不使用氧、氢也能够获得足够高的蚀刻速度并且实现与硅氮化物、硅、有机材料的高蚀刻选择性的等离子体蚀刻方法。CmF2m+1‑O‑CH2‑R (I)。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体蚀刻方法，是在等离子体条件下使用处理气体的等离子体蚀刻方法，其特征在于，使用选自由式(I)表示的氢氟醚中的至少1种作为处理气体：CmF2m+1‑O‑CH2‑R (I)式中，R表示氢原子或者由CnF2n+1表示的氟烷基，m、n表示满足1≤m≤3、3≤(m+n)≤4的整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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