[发明专利]磁场传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 201580059296.7 | 申请日： | 2015-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN107112414B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | C·肖特;M·梅特尔;C·鲍尔 | 申请（专利权）人： | 迈来芯科技有限公司;X-瑟利普林特有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/04 | 分类号： | H01L43/04;H01L25/16;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杨洁;蔡悦 |
| 地址： | 比利时*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于测量磁场的半导体芯片(100)。该半导体芯片包括磁感测元件(110)和电子电路(120)。磁感测元件(110)被安装在电子电路(120)上。磁感测元件与电子电路电连接。以第一技术和/或第一材料生产电子电路，而以不同于第一技术/材料的第二技术和/或第二材料生产磁感测元件。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种用于测量磁场的半导体芯片(100)，所述半导体芯片包括磁感测元件(110)以及电子电路(120)，其中：－所述磁感测元件(110)被安装在所述电子电路(120)上，－所述磁感测元件与所述电子电路电连接，－并且其中所述电子电路(120)以第一技术来生产并且包括第一材料，而所述磁感测元件以与所述第一技术不同的第二技术来生产并且包括与所述第一材料不同的第二材料，并且其中粘合剂层存在于所述磁感测元件(110)与所述电子电路(120)之间。
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