[发明专利]执行湿蚀刻工艺的系统和方法

摘要

公开了一种用于执行湿蚀刻工艺的系统和方法。该系统包括可由传送装置访问的多个处理台子，包括在该过程中每个蚀刻步骤之前和之后光学测量晶片的厚度的测量台。该系统还包括控制器，用于根据目标晶片轮廓分析厚度测量值，并为每个蚀刻步骤动态地并且实时地生成蚀刻配方。此外，过程控制器可以使单个晶片湿蚀刻台根据生成的蚀刻配方来蚀刻晶片。此外，该系统可以基于蚀刻前和蚀刻后厚度测量和目标蚀刻轮廓，生成和/或细化蚀刻配方。

主权项

使用单晶片湿蚀刻具处理系统湿蚀刻晶片以生产处理后的晶片的方法，在晶片表面下方嵌入有TSV，所述单晶片湿蚀刻具处理系统包括多个台子，每个所述TSV从所述表面突出规定显露高度，所述方法包括以下步骤：在测量台处测量晶片的初始厚度；在第一蚀刻台处，根据第一蚀刻配方蚀刻晶片的表面，并使用第一蚀刻剂来薄化晶片材料，并在TSV之上留下具有规定残留基板材料厚度(RST)的残留晶片材料层，其中所述第一蚀刻配方基于所测量的初始厚度；在第二蚀刻台处，使用第二蚀刻剂根据第二蚀刻配方蚀刻晶片的表面以使晶片材料变薄，使得具有规定显露高度的每个TSV的相应部分从所述表面延伸；以及其中所述第一蚀刻剂和第二蚀刻剂包括不同的化学组成。