[发明专利]等离子体耐蚀刻性得到提高的工艺部件及工艺部件的等离子体耐蚀刻性强化处理方法在审
| 申请号： | 201580059892.5 | 申请日： | 2015-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN107004558A | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 金沃律;金沃珉 | 申请（专利权）人： | 株式公司品維斯;金沃律;金沃珉 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 韩国京畿道龙仁市器兴区东白中央路16番道*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明用于解决半导体或显示器制造设备的工艺部件暴露于等离子体而被蚀刻的问题，涉及在工艺部件涂敷陶瓷粉末之前后通过除去表面(工艺部件本体的表面及涂敷膜表面)的谷和峰来提高等离子体耐蚀刻性的方法及由此等离子体耐蚀刻性得到提高的工艺部件。本发明提供等离子体耐蚀刻性得到提高的工艺部件，作为暴露于等离子体的半导体或显示器制造设备工艺部件，其特征在于，在除去部分或全部谷和峰的本体的表面形成涂敷膜，从上述涂敷膜表面除去部分或全部谷和峰。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 得到 提高 工艺 部件 强化 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体耐蚀刻性得到提高的工艺部件，作为暴露于等离子体的半导体或显示器制造设备工艺部件，其特征在于，在除去部分或全部谷和峰的状态的工艺部件本体表面形成陶瓷涂敷膜，除去存在于上述涂敷膜表面的部分或全部谷和峰，以在表面粗糙度测定区间内由从与峰和谷的面积变相同的中心线平行的任意基准线至上述表面粗糙度测定区间内最低的5个谷V1、V2、V3、V4、V5的距离平均值(V1+V2+V3+V4+V5)/5与至最高的5个峰P1、P2、P3、P4、P5的距离平均值之差的绝对值[(P1+P2+P3+P4+P5)/5‑(V1+V2+V3+V4+V5)/5]表示的表面粗糙度Rz值小于5.0μm。
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