[发明专利]单片集成的可调谐半导体激光器有效

专利信息
申请号: 201580059965.0 申请日: 2015-08-28
公开(公告)号: CN107078460B 公开(公告)日: 2019-11-19
发明(设计)人: 萨姆·戴维斯;N·D·怀特布里德;安德鲁·沃德;罗伯特·格里芬 申请(专利权)人: 朗美通技术英国有限公司
主分类号: H01S5/042 分类号: H01S5/042;H01S5/0625;H01S5/026;H01S5/125;H01S5/12
代理公司: 11283 北京润平知识产权代理有限公司 代理人: 肖冰滨;王晓晓<国际申请>=PCT/GB
地址: 英国北*** 国省代码: 英国;GB
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摘要: 一种单片集成的可调谐半导体激光器,其具有光波导,包括在衬底上具有外延层的激光器芯片,并且具有界定光学增益区段和无源区段的第一反射器和第二反射器,其中反射器中的至少一个是包括光栅并配置成具有可调谐反射光谱的分布式布拉格反射器区段,其中激光器设置有配置为在使用中被电接地的公共接地电极,其中控制电极设置在至少光学增益区段和至少一个分布式布拉格反射器区段中的光波导上,其中无源区段设置有与光波导的与衬底相对的侧电接触的无源区段电极,该无源区段配置为不被电控制信号驱动,且在无源区段内不存在光栅,且其中,该无源区段是接地无源区段,其中无源区段电极配置为在使用中电接地并且与无源区段电接触,且其中无源区段电极和公共接地电极电接触光波导的相对侧。
搜索关键词: 单片 集成 调谐 半导体激光器
【主权项】:
1.一种单片集成的可调谐半导体激光器,其具有光波导,所述激光器包括在衬底上具有外延层的激光器芯片,所述外延层包括在所述衬底上的下层、过生长层以及在所述下层和所述过生长层之间的光导层,且所述激光器具有集成在所述激光器芯片上的/n第一反射器和第二反射器,所述第一反射器和所述第二反射器界定光学增益区段,和/n无源区段,/n其中,所述第一反射器和第二反射器中的至少一个是分布式布拉格反射器区段,所述分布式布拉格反射器区段包括光栅并且被配置为具有可调谐反射光谱,/n其中,所述激光器设置有配置为在使用中电接地的公共接地电极,/n其中,控制电极设置在至少所述光学增益区段和所述分布式布拉格反射器区段中的所述光波导上,/n其中,所述无源区段设置有无源区段电极,所述无源区段电极电接触所述光波导的与所述衬底相对的侧,所述无源区段配置为不可通过电控制信号驱动,并且所述无源区段内不存在光栅,且/n其中,所述无源区段是接地的无源区段,其中所述无源区段电极配置为在使用中被电接地并与所述无源区段电接触,且其中,所述无源区段电极和所述公共接地电极电接触所述光波导的相对侧。/n
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