[发明专利]具有反射光电阴极阵列的光电倍增管(PMT)在审
| 申请号： | 201580059985.8 | 申请日： | 2015-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN107078016A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | D·麦凯 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J43/08 | 分类号： | H01J43/08 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光电倍增管PMT的具有反射光电阴极阵列的内部部分及一种用于制造所述内部部分的方法。所述PMT的所述内部部分包括所述反射光电阴极阵列及对应于所述反射光电阴极阵列的至少一个二次发射极结构。每一反射光电阴极接收光且从所述光产生光电子，所述光电子接着朝向所述至少一个二次发射极结构行进。在所述光电子与所述至少一个二次发射极结构接触后，所述光电子即刻倍增。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 反射 光电 阴极 阵列 光电倍增管 pmt | ||
【主权项】：
一种光电倍增管PMT的内部部分，其包括：反射光电阴极阵列，所述反射光电阴极中的每一者用于接收光且从所述所接收光产生光电子；及至少一个二次发射极结构，其对应于所述反射光电阴极阵列以使由所述对应反射光电阴极阵列产生的所述光电子倍增。
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