[发明专利]太阳能电池及其制造方法在审
| 申请号： | 201580060359.0 | 申请日： | 2015-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN107078178A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 大塚宽之;渡部武纪 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 李英艳,张永康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种太阳能电池，其具备P型硅基板，所述P型硅基板以一个主表面为受光面并以另一个主表面为背面，在所述背面上具备电介质膜，并且，所述P型硅基板在所述受光面的至少一部分具有N型导电型层，所述太阳能电池的特征在于，所述P型硅基板为掺有镓的硅基板，在所述P型硅基板的所述背面含有扩散的第III族元素。由此，本发明提供一种太阳能电池及其制造方法，所述太阳能电池具备掺镓基板且转换效率优异。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池，其具备P型硅基板，所述P型硅基板以一个主表面为受光面并以另一个主表面为背面，在所述背面上具备电介质膜，并且，所述P型硅基板在所述受光面的至少一部分具有N型导电型层，所述太阳能电池的特征在于，所述P型硅基板为掺有镓的硅基板，在所述P型硅基板的所述背面含有扩散的第III族元素。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
