[发明专利]交叉点存储器及其制造方法

摘要

一种交叉点存储器阵列包含多个可变电阻存储器单元柱。邻近存储器单元柱由包含掩埋式空隙的经部分填充间隙分离。另外，邻近存储器单元柱包含至少部分插置有所述掩埋式空隙的存储材料元件。

主权项

1.一种存储器装置，其包括多个可变电阻存储器单元柱，其中邻近存储器单元柱由包含掩埋式空隙的经部分填充间隙分离，其中所述邻近存储器单元柱包含至少部分插置有所述掩埋式空隙的存储材料元件，且其中所述间隙包括在密封区域的底部端上方的未填充的隔离区域，所述密封区域形成于所述间隙中位于所述掩埋式空隙上方，且其中所述间隙包括在第一方向上延伸的第一间隙密封电介质，及在第二方向上延伸的不同于所述第一间隙密封电介质的第二间隙密封电介质。