[发明专利]半导体发光元件有效
申请号: | 201580061116.9 | 申请日: | 2015-10-22 |
公开(公告)号: | CN107112391B | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
发明(设计)人: | 后藤明辉;杉山正和;M·玛尼施 | 申请(专利权)人: | 斯坦雷电气株式会社;国立大学法人东京大学 |
主分类号: | H01L33/24 | 分类号: | H01L33/24;H01L33/32 |
代理公司: | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 吕俊刚;杨薇<国际申请>=PCT/JP2 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 半导体发光元件。一种半导体发光元件,其具有包括第一发光层和第二发光层的发光功能层。第一发光层具有:第一基底层,其具有多个第一基底区段,多个第一基底区段具有从第一半导体层接受应力应变的组分,并且被分割成随机网状;第一量子阱层,其保留了第一基底区段的区段形状,并且形成在第一基底层上;以及第一势垒层,其具有平坦化的平坦表面,第一基底层和第一量子层被嵌入在第一势垒层下方。第二发光层具有:第二基底层,其具有从第一势垒层接受应力应变的组分,并且具有被划分为随机网状的多个第二基底区段;第二量子阱层,其保留了第二基底区段的区段形状,并且形成在第二基底层上;以及第二势垒层,其形成在第二量子阱层上。 | ||
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【主权项】:
1.一种半导体发光元件,所述半导体发光元件包括:/n第一半导体层,所述第一半导体层具有第一导电类型;发光功能层,所述发光功能层形成在所述第一半导体层上并且包括第一发光层和第二发光层;以及第二半导体层,所述第二半导体层形成在所述发光功能层上,并且具有与所述第一半导体层的导电类型相反的导电类型,其中/n所述第一发光层具有:第一基底层,所述第一基底层具有使所述第一基底层从所述第一半导体层受到应力应变的组分,并且具有被分割成随机网状的多个第一基底区段,所述第一基底区段的各自的上表面具有第一平坦部;第一量子阱层,所述第一量子阱层保留了所述第一基底区段的区段形状,并且形成在所述第一基底层上;以及第一势垒层,所述第一势垒层具有通过嵌入所述第一基底层和所述第一量子阱层而被平坦化的平坦表面,并且/n所述第二发光层具有:第二基底层,所述第二基底层具有使所述第二基底层从所述第一势垒层受到应力应变的组分,并且具有被分割成随机网状的多个第二基底区段,所述第二基底区段的各自的上表面具有第二平坦部;第二量子阱层,所述第二量子阱层保留了所述第二基底区段的区段形状,并且形成在所述第二基底层上;以及第二势垒层,所述第二势垒层形成在所述第二量子阱层上。/n
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