[发明专利]光电子半导体器件和具有光电子半导体器件的设备

摘要

提出一种光电子半导体器件(1)，其具有发射区域(3)，所述发射区域具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和设置在第一半导体层和第二半导体层之间的设为用于产生辐射的有源区域(20)；保护二极管区域(4)，其中‑半导体器件具有用于外部电接触半导体器件(1)的接触部(6)；‑接触部具有第一接触区域(61)，所述第一接触区域与发射区域导电连接；‑接触部具有第二接触区域(62)，所述第二接触区域与第一接触区域间隔开并且与保护二极管区域导电连接；和‑第一接触区域和第二接触区域能够借助于连接线路(9)的共同的端部(95)外部电接触。此外，提出一种具有光电子半导体器件的设备。

主权项

一种光电子半导体器件(1)，其具有：发射区域(3)，所述发射区域具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的设为用于产生辐射的有源区域(20)；和保护二极管区域(4)，其中‑所述半导体器件具有用于外部电接触所述半导体器件(1)的接触部(6)；‑所述接触部具有第一接触区域(61)，所述第一接触区域与所述发射区域导电连接；‑所述接触部具有第二接触区域(62)，所述第二接触区域与所述第一接触区域间隔开并且与所述保护二极管区域导电连接；‑所述第一接触区域和所述第二接触区域能够借助于唯一的连接线路(9)的共同的端部(95)外部电接触；和‑所述第一接触区域借助于连接线路(9)能够与所述第二接触区域无关地外部电接触。