[发明专利]具有背侧应变拓扑结构的绝缘体上覆半导体

摘要

本发明的各实施例提供了使用应变层对半导体结构中的晶体管的改进。该结构包括具有挖出区域和图案区域的图案化层、位于挖出区域中以及在图案区域上的应变层、位于应变层之上的有源层、形成在有源层中的场效应晶体管、以及位于有源层之上的操作柄层。该场效应晶体管包括源极、漏极和沟道。该沟道完全位于图案区域的横向范围内。源极和漏极各自仅部分地位于图案区域的横向范围内。应变层更改沟道的载流子迁移率。在一些实施例中，应变层被引入到绝缘体上覆半导体结构的背侧。

主权项

1.一种绝缘体上覆半导体(SOI)结构，包括：经图案化层，形成在SOI结构的绝缘材料中，所述经图案化层包括挖出区域和图案区域；应变层，位于所述经图案化层之下以及所述挖出区域中以及所述图案区域上；有源层，位于所述应变层和所述经图案化层之上；场效应晶体管，形成在所述有源层中，其中所述场效应晶体管包括源极、漏极和沟道；以及操作柄层，位于所述有源层之上；其中所述沟道完全位于所述图案区域的横向范围内；其中所述源极和所述漏极各自仅部分地位于所述图案区域的横向范围内，其中所述图案化层延伸超过所述沟道长度的距离被设置为非零；以及其中所述应变层更改所述沟道的载流子迁移率。