[发明专利]太阳能单电池和太阳能电池组件有效
| 申请号： | 201580062370.0 | 申请日： | 2015-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN107004732B | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 东方田悟司;神田雅央;汤川博喜 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0747 | 分类号： | H01L31/0747 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 太阳能单电池(16)包括：n型单晶硅基片(22)；配置在n型单晶硅基片(22)的第1主面上的n型非晶硅层(26)；配置在n型非晶硅层(26)上的受光面电极(28)；配置在n型单晶硅基片(22)的第2主面上的p型非晶硅层(32)；和配置在p型非晶硅层(32)上的背面电极(34)，n型单晶硅基片(22)具有3.5～13Ωcm的范围的电阻率。能够在n型单晶硅基片(22)与n型非晶硅层(26)之间设置i型非晶硅层(24)，在n型单晶硅基片(22)与p型非晶硅层(32)之间设置另一i型非晶硅层(30)。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能 电池 太阳能电池 组件 | ||
【主权项】：
一种太阳能单电池，其特征在于，包括：n型晶体半导体基片；配置在所述n型晶体半导体基片的第1主面上的n型非晶半导体层；配置在所述n型非晶半导体层上的受光面电极；配置在所述n型晶体半导体基片的第2主面上的p型非晶半导体层；和配置在所述p型非晶半导体层上的背面电极，所述n型晶体半导体基片具有3.5～13Ωcm的范围的电阻率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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