[发明专利]用于制造磁场传感装置的方法和设备以及相应的磁场传感装置有效

专利信息
申请号: 201580062487.9 申请日: 2015-09-15
公开(公告)号: CN107003365B 公开(公告)日: 2020-05-15
发明(设计)人: 约亨·施密特;约翰尼斯·保罗;罗纳德·林多尔夫;尤尔根·瓦尔森;克劳迪娅·格兰斯柯 申请(专利权)人: 森斯泰克有限责任公司
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09;H01L43/12
代理公司: 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 代理人: 王刚;龚敏
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种用于永久磁化施加在芯片基板(12)上的磁场传感装置(10)中的至少一个铁磁层的方法和装置。所述方法包括步骤:‑在芯片基板(12)上制造至少一个磁阻元件(14);‑在所述芯片基板(12)上施加至少一个软磁结构元件(18);‑将所述磁阻元件(14)加热到所述反铁磁层的材料的所述阻挡温度之上,并且施加预处理磁场(38);‑将所述磁阻元件(14)冷却至低于所述阻挡温度;‑移除所述预处理磁场(38)。根据本发明,所述软磁结构元件(18)被布置成使得,所施加的预处理磁场(38)基本上垂直于芯片基板表面(36)穿透所述软磁结构元件(18),并且在所述磁阻元件(14)的位置处产生平行于所述芯片基板表面延伸的磁场分量,所述磁场分量穿透所述磁阻元件(14)的所述铁磁层的至少一部分。
搜索关键词: 用于 制造 磁场 传感 装置 方法 设备 以及 相应
【主权项】:
一种用于永久磁化沉积在芯片基板(12)上的磁场传感装置(10)中的至少一个铁磁层的方法,所述方法包括以下步骤:‑在芯片基板(12)上制造至少一个磁阻电阻元件(14),所述至少一个磁阻电阻元件(14)包括至少一个铁磁层和至少一个反铁磁层,其中,交换耦合在铁磁层和反铁磁层之间进行,所述交换耦合在达到阻挡温度时消失;‑在所述芯片基板(12)上沉积至少一个软磁结构元件(18),所述至少一个软磁结构元件(18)邻近或部分叠盖所述电阻元件(14);‑将所述电阻元件(14)加热到所述反铁磁层的材料的所述阻挡温度之上,并且耦合预处理磁场(38);‑将所述电阻元件(14)冷却至低于所述阻塞温度;‑移除所述预处理磁场(38),其特征在于,所述软磁结构元件(18)被布置成使得,经耦合的预处理磁场(38)基本上垂直于芯片表面(36)穿透所述结构元件(18),并且在所述电阻元件(14)的位置处产生平行于所述芯片表面的磁场分量,所述磁场分量至少在一些区域中穿透所述电阻元件(14)的所述铁磁层。
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