[发明专利]成膜装置有效
申请号: | 201580062668.1 | 申请日: | 2015-11-09 |
公开(公告)号: | CN107004582B | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 原岛正幸 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/46;C30B25/10 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在一个实施方式的成膜装置中,旋转轴与旋转台连接。在该成膜装置中,多个晶片载置于相对于旋转轴的中心轴线在周向上排列的多个载置区域内,由旋转台保持。旋转台收纳于基座的内部空间。在该内部空间内,气体供给机构形成从旋转台的外侧沿与中心轴线正交的方向的处理气体的流动。另外,隔热件设置于基座的内部空间内的隔热区域。隔热区域相对于中心轴线比距该中心轴线最近的多个载置区域内的位置更靠外侧、且相对于中心轴线比距该中心轴线最远的多个载置区域内的位置更靠内侧。 | ||
搜索关键词: | 装置 | ||
【主权项】:
一种成膜装置,其特征在于,包括:旋转轴;与所述旋转轴连接的旋转台,该旋转台在相对于所述旋转轴的中心轴线在周向上排列的多个载置区域内保持多个晶片;基座,该基座在其内部空间收纳所述旋转台;气体供给机构,其在所述内部空间中,形成从所述旋转台的外侧沿与所述中心轴线正交的方向的处理气体的流动;收纳所述基座的容器;以覆盖所述基座的方式设置于所述容器与所述基座之间的第一隔热件;和设置于所述内部空间内的第二隔热件,该第二隔热件设置于相对于所述中心轴线比距所述中心轴线最近的所述多个载置区域内的位置更靠外侧、且相对于所述中心轴线比距所述中心轴线最远的所述多个载置区域内的位置更靠内侧的隔热区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造