[发明专利]器件和用于制造器件的方法

摘要

提出一种器件，所述器件具有半导体本体(2)、第一金属层(3)和第二金属层(4)，其中‑第一金属层设置在半导体本体和第二金属层之间，‑半导体本体具有在背离第一金属层的一侧上的第一半导体层(21)、在朝向第一金属层的一侧上的第二半导体层(22)和设置在第一半导体层和第二半导体层之间的有源层(23)，‑器件具有过孔(24)，所述过孔延伸穿过第二半导体层和有源层以电接触第一半导体层，‑第二金属层具有第一子区域(41)和通过中间腔(40)与第一子区域横向间隔开的第二子区域(42)，其中第一子区域经由第一金属层与过孔电连接，‑并且在俯视图中，第一金属层横向完全地覆盖中间腔。此外，提出一种用于制造这种器件的方法。

主权项

1.一种半导体器件(100)，所述半导体器件具有半导体本体(2)、第一金属层(3)和第二金属层(4)，其中/n-所述第一金属层设置在所述半导体本体和所述第二金属层之间，/n-所述半导体本体具有在背离所述第一金属层的一侧上的第一半导体层(21)、在朝向所述第一金属层的一侧上的第二半导体层(22)和设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层(23)，/n-所述半导体器件具有过孔(24)，所述过孔延伸穿过所述第二半导体层和所述有源层以电接触所述第一半导体层，/n-所述第二金属层具有第一子区域(41)和通过中间腔(40)与所述第一子区域横向间隔开的第二子区域(42)，其中所述第一子区域经由所述第一金属层与所述过孔电连接，/n-在俯视图中，所述第一金属层完全地覆盖所述中间腔，/n-所述第二金属层(4)由电绝缘的成形体(10)横向限界，/n-所述第一子区域(41)和所述第二子区域(42)沿横向方向邻接于所述成形体(10)，并且/n-所述中间腔(40)借助所述成形体的电绝缘材料填充，/n-所述第一金属层(3)构成为所述半导体器件的用于机械稳定的层。/n