[发明专利]碳化硅基板、其制造方法和制造碳化硅半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201580063761.4 | 申请日： | 2015-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN107002280B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 本家翼;冲田恭子 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;B24B37/00;C09K3/14;C30B33/12;H01L21/205;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种碳化硅基板，其由碳化硅构成，且当用氯气对其主表面进行蚀刻时，在所述主表面中观察到的线性蚀坑组的总长度等于或小于所述基板的直径。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅基板 主表面 碳化硅半导体装置 蚀刻 氯气 碳化硅 基板 蚀坑 制造 观察 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅基板，其包含碳化硅，其中，当用氯气对其主表面进行蚀刻时，在所述主表面中观察到的线性蚀坑组的总长度为20mm至150mm，且所述基板的直径为150mm。
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