[发明专利]外延晶片、半导体元件、外延晶片的制造方法、以及半导体元件的制造方法

摘要

本发明提供一种外延晶片，其特征在于，具有：硅系基板；第一缓冲层，配置于硅系基板上，具有第一多层结构缓冲区域与第一插入层，前述第一多层结构缓冲区域由AlxGa1‑xN层与AlyGa1‑yN层交互配置而成，前述第一插入层由比AlyGa1‑yN层更厚的AlzGa1‑zN层构成，x>y、x>z，前述第一缓冲层由第一多层结构缓冲区域与第一插入层交互配置而成；第二缓冲层，配置于第一缓冲层上，具有第二多层结构缓冲区域与第二插入层，前述第二多层结构缓冲区域由AlαGa1‑αN层与AlβGa1‑βN层交互配置而成，前述第二插入层由比AlβGa1‑βN层更厚的AlγGa1‑γN层构成，α>β、α>γ，前述第二缓冲层由第二多层结构缓冲区域与第二插入层交互配置而成；以及，通道层，配置于第二缓冲层上，比第二插入层更厚，并且，第二缓冲层的平均铝组成比第一缓冲层的平均铝组成更高。由此，提供一种外延晶片，能够降低晶片的翘曲并抑制发生内部龟裂。

主权项

一种外延晶片，其特征在于，具有：硅系基板；第一缓冲层，配置于该硅系基板上，具有第一多层结构缓冲区域与第一插入层，前述第一多层结构缓冲区域由AlxGa1‑xN层与AlyGa1‑yN层交互配置而成，前述第一插入层由比前述AlyGa1‑yN层更厚的AlzGa1‑zN层构成，x>y、x>z，前述第一缓冲层由前述第一多层结构缓冲区域与前述第一插入层交互配置而成；第二缓冲层，配置于前述第一缓冲层上，具有第二多层结构缓冲区域与第二插入层，前述第二多层结构缓冲区域由AlαGa1‑αN层与AlβGa1‑βN层交互配置而成，前述第二插入层由比前述AlβGa1‑βN层更厚的AlγGa1‑γN层构成，α>β、α>γ，前述第二缓冲层由前述第二多层结构缓冲区域与前述第二插入层交互配置而成；以及，通道层，配置于前述第二缓冲层上，比前述第二插入层更厚，前述第二缓冲层的平均铝组成比前述第一缓冲层的平均铝组成更高。