[发明专利]静态随机存取存储器SRAM位单元有效
| 申请号： | 201580064156.9 | 申请日： | 2015-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN107004439B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | N·N·莫江德;S·S·宋;Z·王;K·利姆;C·F·耶普 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C8/14 | 分类号： | G11C8/14;G11C8/16;G11C11/418;H01L27/02;H01L27/11 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李小芳;袁逸<国际申请>=PCT/US2 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了具有跨静态随机存取存储器(SRAM)位单元的边界边缘拆分的字线着陆焊盘(312(1),312(2),312(3))的SRAM位单元。在一个方面，公开了一种SRAM位单元，其采用第二金属层(M2)中的写字线(302)、第三金属层(M4)中的第一读字线(304)、以及第四金属层(M4)中的第二读字线(306)。采用在分开的金属层中的字线允许字线具有更宽的宽度，这会减小字线电阻，减少访问时间，并且增强SRAM位单元的性能。为了采用在分开的金属层中的字线，第一金属层中的多条迹线被采用。为了将读字线耦合至迹线以与SRAM位单元晶体管通信，着陆焊盘被布置在SRAM位单元的边界边缘之内和之外的相应迹线上。与写字线相对应的着陆焊盘被置于SRAM位单元的边界边缘内的相应迹线上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 不同 金属 第一 第二 读字线 写字 以及 每个 sram 单元 边界 边缘 拆分 相关 | ||
【主权项】：
1.一种静态随机存取存储器SRAM位单元，包括：/n第一金属层中采用的多条迹线；/n第二金属层中采用的写字线；/n第三金属层中采用的第一读字线；/n第四金属层中采用的第二读字线；/n布置在所述多条迹线中对应的迹线上的多个第一读字线着陆焊盘中的每个第一读字线着陆焊盘，其中每个第一读字线着陆焊盘和对应的迹线被布置在所述SRAM位单元的边界边缘的第一侧上；/n布置在所述多条迹线中对应的迹线上的多个第二读字线着陆焊盘中的每个第二读字线着陆焊盘，其中每个第二读字线着陆焊盘和对应的迹线被布置在所述SRAM位单元的边界边缘的第二侧上；以及/n布置在所述多条迹线中对应的迹线上的多个写字线着陆焊盘中的每个写字线着陆焊盘，其中每个写字线着陆焊盘和对应的迹线被布置在所述SRAM位单元的多个边界边缘中的每个边界边缘内。/n
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