[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201580064210.X | 申请日： | 2015-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN107004719B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 北川英树;大东彻;今井元;越智久雄;藤田哲生;菊池哲郞;川岛慎吾;铃木正彦 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1343;G02F1/1368;H01L21/28;H01L21/283;H01L21/306;H01L21/312;H01L21/316;H01L21/336;H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 薛晓伟 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置(100A)，具备：含有栅极电极(3)、氧化物半导体层(5)、栅极绝缘层(4)以及源极电极(7S)及漏极电极(7D)的薄膜晶体管(101)；以覆盖薄膜晶体管(101)且与薄膜晶体管(101)的通道区域(5c)相接的方式配置的层间绝缘层(11)；配置于层间绝缘层(11)上的透明导电层(19)，源极电极(7S)及漏极电极(7D)各自具有铜层(7a)，进一步具备配置于源极及漏极电极与层间绝缘层(11)之间的铜氧化膜(8)，层间绝缘层(11)隔着铜氧化膜(8)而覆盖漏极电极(7D)，透明导电层(19)于形成在层间绝缘层(11)的接触孔(CH1)内，未隔着铜氧化膜(8)而与漏极电极(7D)的铜层(7a)直接相接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：基板；薄膜晶体管，被所述基板支撑，含有栅极电极、氧化物半导体层、形成于所述栅极电极与所述氧化物半导体层之间的栅极绝缘层以及与所述氧化物半导体层的上面相接的源极电极及漏极电极；层间绝缘层，以覆盖所述薄膜晶体管且与所述薄膜晶体管的通道区域相接的方式配置；透明导电层，配置于所述层间绝缘层上，所述源极电极及所述漏极电极各自具有铜层，进一步具备铜氧化膜，所述铜氧化膜配置于所述源极电极及所述漏极电极与所述层间绝缘层之间，所述层间绝缘层隔着所述铜氧化膜而覆盖所述漏极电极，所述透明导电层于形成在所述层间绝缘层的第一接触孔内，未隔着所述铜氧化膜而与所述漏极电极的所述铜层直接相接。
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