[发明专利]温度补偿梁谐振器有效
申请号: | 201580064515.0 | 申请日: | 2015-10-02 |
公开(公告)号: | CN107005223B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 安蒂·亚科拉;帕努·派克;米卡·普伦尼拉;托马斯·彭萨拉 | 申请(专利权)人: | 芬兰国家技术研究中心股份公司 |
主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H9/24;H03H3/007 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;陈伟 |
地址: | 芬兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明提供一种微机电谐振器装置,包括支撑结构和制造在(100)或(110)半导体晶片上的谐振器,其中谐振器悬挂在支撑结构上并包括至少一个梁,该梁用n型掺杂剂掺杂到1.1*10 |
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搜索关键词: | 温度 补偿 谐振器 | ||
【主权项】:
一种微机电谐振器装置,包括:支撑结构,悬挂在所述支撑结构上并包括至少一个梁的谐振器,所述梁具有纵向轴线,用n型掺杂剂掺杂到掺杂浓度,以及能够以长度‑延伸、弯曲或扭转谐振模式谐振,将所述长度‑延伸、弯曲或扭转谐振模式激发到所述谐振器中的驱动器,其特征在于,所述支撑结构和所述谐振器由(100)或(110)取向的半导体晶片制造,所述掺杂浓度至少为1.1*1020cm‑3,在所述谐振模式是长度‑延伸或弯曲模式的条件下,所述梁的纵向轴线取向于相对于晶片的[100]晶体方向为17±10度的角度,以及在所述谐振模式是扭转模式的条件下,所述梁的纵向轴线取向于相对于晶片的[110]晶体方向为0±35度的角度。
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