[发明专利]兼容高介电常数/金属栅极(HK/MG)的浮置栅极(FG)/铁电偶极子非易失性存储器和逻辑器件在审
| 申请号： | 201580064587.5 | 申请日： | 2015-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN107004586A | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | X·李;J·J·徐;Z·王;B·杨;X·陈;Y·陆 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/788;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 唐杰敏,陈炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 使用与高介电常数/金属栅极(HK/MG)工艺兼容的工艺来制造非易失性存储器器件和逻辑器件，以用于增大的单元密度和更大规模的集成。掺杂氧化物层(诸如掺杂硅的氧化铪(HfO2)层)被实现为非易失性存储器器件中的铁电偶极子层。 | ||
| 搜索关键词： | 兼容 介电常数 金属 栅极 hk mg fg 电偶极子 非易失性存储器 逻辑 器件 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器，包括：金属栅极；浮置栅极；以及耦合至所述金属栅极和所述浮置栅极的氧化物层，其中所述浮置栅极可操作用于通过福勒‑诺德海姆(FN)隧穿操作来编程或擦除，或者所述氧化物层可操作用于通过电位偶极子切换操作来编程或擦除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
