[发明专利]用于ⅢA-N族器件的缓冲堆叠

摘要

本申请公开一种制造用于晶体管的多层外延缓冲层堆叠的方法(100)，该方法包括在衬底上沉积缓冲堆叠。第一有空隙IIIA‑N族层沉积(102)在衬底上，并且然后第一基本无空隙IIIA‑N族层沉积(103)在第一有空隙IIIA‑N族层上。第一高粗糙度IIIA‑N族层沉积(104)在第一基本无空隙IIIA‑N族层上，并且第一基本平滑IIIA‑N族层沉积(105)在第一高粗糙度IIIA‑N族层上。然后至少一个IIIA‑N族表面层沉积(106)在第一基本平滑IIIA‑N族层上。

主权项

一种制造用于晶体管的外延层堆叠的方法，包括：沉积具有缓冲层的多层缓冲堆叠，包括：在衬底上沉积第一有空隙IIIA‑N族层，其具有大于5个空隙每平方微米的空隙密度和在0.05μm至0.2μm之间的平均空隙直径；在所述第一有空隙IIIA‑N族层上沉积第一基本无空隙IIIA‑N族层，其具有小于5个空隙每平方微米的空隙密度和小于0.05μm的平均空隙直径；在所述第一基本无空隙IIIA‑N族层上沉积第一高粗糙度IIIA‑N族层，其具有至少的均方根粗糙度，即rms粗糙度，以及在所述第一高粗糙度IIIA‑N族层上沉积第一基本平滑IIIA‑N族层，其具有小于的rms粗糙度，以及在所述第一基本平滑IIIA‑N族层上沉积至少一个IIIA‑N族表面层。