[发明专利]雪崩光电二极管在审
| 申请号： | 201580066179.3 | 申请日： | 2015-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN107004734A | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 名田允洋;村本好史;中岛史人;松崎秀昭 | 申请（专利权）人： | 日本电信电话株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为了在不牺牲光接收灵敏度和高速度的情况下获得高线性度，雪崩光电二极管包括形成在第一光吸收层(102)上的雪崩层(103)、形成在雪崩层(103)上的n场控制层(104)以及形成在场控制层(104)上的第二光吸收层(105)。如果施加反向偏置电压，则场控制层(104)中的施主杂质离化，并且在雪崩层(103)中诱发高电场。场控制层(104)中的n型掺杂量设置为使得第二光吸收层(105)中的杂质浓度在反向偏置施加时充分耗尽。 | ||
| 搜索关键词： | 雪崩 光电二极管 | ||
【主权项】：
一种雪崩光电二极管，包括：由p型半导体制成的p接触层；形成在所述p接触层上并由掺杂有p型杂质的p型半导体制成的第一光吸收层；形成在所述第一光吸收层上的雪崩层；形成在所述雪崩层上的场控制层；形成在所述场控制层上的第二光吸收层；形成在所述第二光吸收层上并由n型半导体制成的n接触层；连接到所述p接触层的p接触；以及连接到所述n接触层的n接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
