[发明专利]两端子CMUT设备有效
| 申请号： | 201580067115.5 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106999984B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | F·P·M·布德泽拉;A·W·格伦兰德;A·C·范伦斯 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦有限公司 |
| 主分类号： | B06B1/02 | 分类号： | B06B1/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;刘炳胜 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超声系统，包括：超声阵列，其包括至少一个电容性微机械超声换能器设备，所述至少一个电容性微机械超声换能器设备包括：薄膜，所述薄膜被耦合到第一电极；衬底，所述衬底与所述薄膜相对并且被耦合到第二电极和第三电极，在所述衬底与所述薄膜之间存在气体或真空腔，其中，所述第二电极在外围区域中与所述第一电极相对，并且所述第三电极在中心区域中与所述第一电极相对；至少一个驱动电路，其被耦合到所述阵列。所述系统还包括：高阻抗电阻器，当所述CMUT设备的所述薄膜处在所述塌陷状态中并且所述CMUT设备在操作频率处被激活时，所述高阻抗电阻器被电气地耦合到所述第二电极与所述第三电极并且具有比所述第一电极与所述第二电极之间的AC阻抗更高的阻抗值。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 第二电极 第一电极 耦合到 第三电极 衬底 微机械超声换能器 高阻抗电阻器 电容性 操作频率 超声系统 超声阵列 驱动电路 塌陷状态 外围区域 中心区域 电气地 真空腔 阻抗 激活 | ||
【主权项】：
1.一种超声系统，包括：超声阵列，其包括至少一个电容性微机械超声换能器设备(1)，所述至少一个电容性微机械超声换能器设备包括：薄膜(114)，所述薄膜被耦合到第一电极(S1)；衬底(112)，所述衬底与所述薄膜(114)相对并且被耦合到第二电极(S2)和第三电极(S3)，在所述衬底与所述薄膜之间存在气体或真空腔(8)，其中，所述第二电极(S2)在外围区域(302)中与所述第一电极(S1)相对，并且所述第三电极(S3)在中心区域(303)中与所述第一电极(S1)相对；至少一个驱动电路(45')，其被耦合到所述阵列，并且其适于：(a)通过在所述至少一个CMUT设备的所述第一电极和所述第三电极上施加DC电压而使所述薄膜(114)进入塌陷状态中，在所述塌陷状态中，所述薄膜塌陷到所述中心区域(303)中的所述衬底，并且(b)通过在至少一个所述CMUT设备的所述第一电极和所述第二电极上施加具有CMUT操作频率的AC电压来激活所述CMUT设备；并且其中，当所述薄膜处在所述塌陷状态中并且所述CMUT设备在操作频率处被激活时，所述阵列的至少一个电容性微机械超声换能器设备的所述第三电极(S3)经由具有比所述第一电极与所述第二电极之间的AC阻抗更高的阻抗值的高阻抗电阻器(R)被电气地耦合到所述第二电极(S2)。
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