[发明专利]隧道场效应晶体管及其制造方法

摘要

根据本发明的隧道场效应晶体管（TFET）与迄今为止的现有技术相比尤其是具有两个优点。首先，提供了缩短的隧道势垒，并且由此提供了缩短的隧道结。这通过如下方式来实现：在源极区域中，一方面设置硅化并且此外设置掺杂物分离，它们导致更陡峭的隧道边沿。另一方面，通过选择性和自调校的硅化，隧道面积自身扩大，其中在根据本发明的隧道场效应晶体管（TFET）中设置与栅极的电场线平行延伸的隧道结。根据本发明的隧道场效应晶体管（TFET）因此将与栅极的电场线平行的隧道结与栅极之下的经扩大的隧道区域相连接，所述隧道区域具有拥有较窄带隙的材料。根据本发明的用于制造TFET的方法包括选择性的自调校的硅化并且此外包括掺杂物分离。通过这些步骤可以精确到几纳米地可再现地制造隧道结。

主权项

用于制造隧道场效应晶体管（TFET）的方法，所述隧道场效应晶体管（TFET）包括源极区域、沟道区域和漏极区域，该方法具有下列步骤：‑将外延层（102，123）布置到硅衬底（101，121）上；‑在所述外延层上施加具有栅电极（104，125）和栅电极（104，125）的栅极装置，其中在栅电极与Si衬底之间布置栅极电介质（103，124）；‑在栅极电介质（103，124）之下与源极区域相邻地构造经掺杂的阱区域（106，123）；其特征在于，‑在源极区域中构造选择性地硅化的区域（108，128），所述区域（108，128）延伸直到栅极之下；以及‑在源极区域中附加地通过掺杂物从硅化区域（108，128）中的向外扩散与阱区域（106，128）相邻地构造与阱区域相反掺杂的区域（111，129），由此实现与栅电极（104，25）的电场线平行的隧道结。