[发明专利]具有内部校准电路的硅光电倍增管在审
申请号: | 201580069109.3 | 申请日: | 2015-09-18 |
公开(公告)号: | CN107110985A | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | J.郭;S.I.多林斯基 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | G01T1/20 | 分类号: | G01T1/20;G01T1/208;G01T1/24 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 郑浩,付曼 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种硅光电倍增管,所述硅光电倍增管包括多个微单元,所述多个微单元响应于入射辐射提供脉冲输出,每个微单元包括电路,所述电路配置成启用和禁用所述脉冲输出。每个微单元包括单元禁用开关。所述控制逻辑电路控制所述单元禁用开关和自测试电路。当所述单元禁用开关处于第一状态下时,微单元的脉冲输出被禁用。一种用于微单元的自测试校准方法包括向所述微单元提供测试启用信号;在预定时间段内集成暗电流;将所述集成暗电流与预定阈值水平进行比较;以及如果高于所述预定阈值水平,则提供信号。 | ||
搜索关键词: | 具有 内部 校准 电路 光电倍增管 | ||
【主权项】:
一种硅光电倍增管阵列,包括:多个微单元,每个微单元响应于入射辐射提供脉冲输出,每个微单元包括电路,所述电路配置成启用和禁用所述脉冲输出;所述多个微单元中的每个微单元包括单元禁用开关和自测试电路;并且其中当所述单元禁用开关处于第一状态下时,所述脉冲输出被禁用。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通用电气公司,未经通用电气公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580069109.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:激光反射靶
- 下一篇:用于稳定的放射性核素分析的马里内利烧杯修正容器