[发明专利]单晶的制造方法

摘要

本发明提供一种单晶的制造方法。一种单晶(6)的制造方法，其具备：肩部形成工序，形成单晶(6)的肩部(62)；及直体部形成工序，形成单晶(6)的直体部(63)，在肩部形成工序中，将从坩埚(31)内部的最下部至掺杂剂添加熔体(41)的表面(41A)为止的距离设为H(mm)，将掺杂剂添加熔体(41)的表面(41A)的半径设为R(mm)，在满足0.4＜H/R＜0.78的关系的状态下，开始形成肩部(62)。

主权项

1.一种利用切克劳斯基法的单晶的制造方法，其利用单晶提拉装置，所述单晶提拉装置具备：腔室；坩埚，配置于该腔室内且能够收纳在硅熔体中添加有掺杂剂的掺杂剂添加熔体；及提拉部，使籽晶与所述掺杂剂添加熔体接触之后进行提拉，所述单晶的制造方法具备：肩部形成工序，形成所述单晶的肩部；及直体部形成工序，形成所述单晶的直体部，所述单晶的制造方法的特征在于，将能够制造多根单晶的量的所述掺杂剂添加熔体容纳于所述坩埚中，在未向所述坩埚中追加硅原料及所述掺杂剂的状态下一根一根地制造所述多根单晶时，将从所述坩埚的内部的最下部至所述掺杂剂添加熔体的表面为止的距离设为H（mm），将所述掺杂剂添加熔体的表面的半径设为R（mm），在满足下式（1）的状态下，开始形成各单晶的所述肩部，0.4＜H/R＜0.78 ……（1）其中所述掺杂剂为红磷、砷、锑或红磷和锗，所述掺杂剂为红磷时，所述掺杂剂添加熔体中添加有所述红磷，以使各单晶的所述直体部的上端的电阻率成为1.0mΩ･cm以下，所述掺杂剂为砷时，所述掺杂剂添加熔体中添加有所述砷，以使各单晶的所述直体部的上端的电阻率成为2.0mΩ･cm以下，所述掺杂剂为锑时，所述掺杂剂添加熔体中添加有所述锑，以使各单晶的所述直体部的上端的电阻率成为15mΩ･cm以下，所述掺杂剂为红磷和锗时，所述掺杂剂添加熔体中添加有所述红磷和所述锗，以使各单晶的所述直体部的上端的电阻率成为1.2mΩ･cm以下。