[发明专利]P型氧化物半导体薄膜的原子层沉积有效
| 申请号： | 201580069315.4 | 申请日： | 2015-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN107112198B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 野村健二;约翰·贤哲·洪 | 申请（专利权）人： | 追踪有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文中提供通过原子层沉积ALD来沉积p型金属氧化物薄膜的方法。还提供p型金属氧化物薄膜和包含p型金属氧化物沟道的TFT。在一些实施方案中，所述p型金属氧化物薄膜具有小于1019/cm3的金属和氧空位缺陷密度。所述p型金属氧化物薄膜可贯穿所述薄膜的整体厚度为电活性的。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜 原子 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种形成薄膜晶体管TFT的方法，其包括：提供衬底；将所述衬底暴露于第一反应物的脉冲以在所述衬底上方形成所述第一反应物的吸附层；将所述衬底暴露于第二反应物的脉冲以与所述第一反应物反应；及将所述衬底暴露于氧化剂的脉冲以形成金属氧化物层，其中所述金属氧化物层为锡基(Sn基)p型半导体层，所述锡基(Sn基)p型半导体层包括三元化合物Sn(II)—X—O，所述三元化合物Sn(II)—X—O包括Sn—X键，其中X为钛Ti、钨W、硼B或铌Nb中的一者。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
