[发明专利]传感系统和器件有效
| 申请号： | 201580069924.X | 申请日： | 2015-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN107110802B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 小埜和夫;宇佐川利幸 | 申请（专利权）人： | 日立汽车系统株式会社 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;G01K7/01;H01L21/336;H01L21/761;H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/08;H01L27/088;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明目的在于使FET型氢传感器的传感信号低噪声化。为了解决上述问题，本发明的传感系统的一个方面中，在衬底上由FET构成参照器件和传感器件，并且将两者的阱电位电隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 传感 系统 器件 | ||
【主权项】：
1.一种以氢为检测对象物的传感系统，具有：P型半导体衬底；在形成于所述P型半导体衬底的第一N阱内由P型FET形成的传感FET；在形成于所述P型半导体衬底的第二N阱内由P型FET形成的参考FET；和检测在气体气氛中的所述传感FET与所述参考FET的阈值电压之差的检测电路，所述传感系统的特征在于：所述传感FET和所述参考FET相互相邻地形成，并且各自的P型FET具有相同构造，所述传感FET对氢具有感应性，所述参考FET因具有氢无法透过的阻挡膜而对氢不具有感应性，所述第一N阱和所述第二N阱相互独立地设置，所述P型半导体衬底为接地电位从而所述第一N阱与所述第二N阱电隔离，并且，所述第一N阱的电位和所述第二N阱的电位能够独立控制，所述传感FET的源极端子与所述第一N阱的阱端子短路，所述参考FET的源极端子与所述第二N阱的阱端子短路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立汽车系统株式会社，未经日立汽车系统株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580069924.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种节能铅笔
- 下一篇：光耦隔离单线通信电路
