[发明专利]低功率理想二极管控制电路有效
| 申请号： | 201580070605.0 | 申请日： | 2015-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN107112918B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | T·B·莫金;H·P·弗汉尼-扎德 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/217 | 分类号： | H02M7/217 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在作为低功率理想二极管操作的电路(100)的所描述的示例中，电路(100)包括：p沟道晶体管(102)，其被连接以在第一端子上接收输入电压(VIN)并且在第二端子上提供输出电压(VOUT)；第一放大器(106)，其被连接以接收输入电压和输出电压并且提供第一信号，该第一信号根据p沟道晶体管两端的电压动态地偏置p沟道晶体管(102)的栅极；以及第二放大器(104)，其被连接为接收输入电压和输出电压并且提供第二信号，该第二信号操作以响应于输入电压(VIN)小于输出电压(VOUT)而断开p沟道晶体管(102)的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 理想 二极管 控制电路 | ||
【主权项】：
1.一种电路，其包含：第一p沟道晶体管，其被连接以在第一端子上接收输入电压并且在第二端子上提供输出电压；第一放大器，其被连接以在第一输入端处接收所述输入电压并且在第二输入端处接收所述输出电压，并且提供第一信号，所述第一信号根据所述第一p沟道晶体管两端的电压动态地偏置所述第一p沟道晶体管的栅极；以及第二放大器，其被连接以在第一输入端处接收所述输入电压并且在第二输入端处接收所述输出电压，并且提供第二信号，所述第二信号操作以响应于所述输入电压小于所述输出电压而断开所述第一p沟道晶体管的所述栅极，其中所述第一放大器的工作区与所述第二放大器的工作区重叠。
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