[发明专利]半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置有效
| 申请号： | 201580071439.6 | 申请日： | 2015-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN107111985B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 三宅博之;及川欣聪;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G09G3/30 | 分类号： | G09G3/30;G09F9/00;G09F9/30;G09G3/20;H01L21/363;H01L21/8234;H01L27/08;H01L27/088;H01L27/32;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/06;H05B33/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 金红莲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的一个方式的目的之一是抑制因环境温度变化所引起的流过发光元件的电流的变动而产生的亮度不均匀。利用监控电路控制流过像素部所包括的第一发光元件的电流。监控电路包括第二发光元件、晶体管、电阻器以及放大电路。第二发光元件的阳极与晶体管的源极连接。第二发光元件的阴极与电阻器及放大电路的第一输入端子连接。放大电路的第二输入端子与第二电源线连接。放大电路的输出端子与晶体管的栅极连接。晶体管的漏极与第三电源线连接。晶体管和电阻器都包括氧化物半导体膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 包括 显示装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：像素部；以及设置在所述像素部的外侧的监控电路，其中，所述像素部包括第一发光元件，所述监控电路包括第二发光元件、晶体管、电阻器以及放大电路，所述第二发光元件的阳极与所述晶体管的源极和漏极中的一个电连接，所述第二发光元件的阴极与所述电阻器的一个电极及所述放大电路的第一输入端子电连接，所述电阻器的另一个电极与第一电源线电连接，所述放大电路的第二输入端子与第二电源线电连接，所述放大电路的输出端子与所述晶体管的栅极电连接，所述晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与第三电源线电连接，所述晶体管包括形成在表面上的氧化物半导体膜，所述电阻器包括形成在与所述氧化物半导体膜相同的表面上的氧化物导电膜，并且，利用所述监控电路控制流过所述第一发光元件的电流的量。
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