[发明专利]从下往上的电解导通镀覆方法在审
| 申请号： | 201580072215.7 | 申请日： | 2015-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN107112279A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | R·A·贝尔曼;J·T·基奇;E·A·库克森科瓦;S·C·波拉德 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/15;H01L23/498;H01L21/48;C25D1/04;C25D5/02;C25D7/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 徐鑫,项丹 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开了一种从下往上的电解导通镀覆方法，其中第一载体基材(100)和具有至少一个通孔(120)的第二基材(110)被临时结合在一起。所述方法包括在第一基材的表面上施涂种子层(108)；在所述种子层或所述第二基材上形成表面改性层(114)；用所述表面改性层将所述第二基材与所述第一基材结合以形成组件，其中所述种子层和所述表面改性层被设置在所述第一基材和所述第二基材之间；将导电材料(122)施涂到所述通孔；从所述组件中除去具有包含导电材料的通孔的所述第二基材。 | ||
| 搜索关键词： | 往上 电解 镀覆 方法 | ||
【主权项】：
一种产生导电通孔的方法，所述方法包括：获得第一基材，所述第一基材具有一个表面；获得第二基材，所述第二基材具有第一表面、第二表面和从所述第一表面延伸至所述第二表面的通孔；将种子层施涂到第一基材的表面上；在所述种子层或所述第二基材上形成表面改性层；用所述表面改性层将所述第二基材与所述第一基材结合以形成组件，其中所述种子层和所述表面改性层被设置在所述第一基材和所述第二基材之间；将导电材料施涂到所述通孔；以及在将所述导电材料施涂到所述通孔后，从所述组件中除去所述第二基材。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
