[发明专利]光伏装置及制造方法有效
| 申请号： | 201580072252.8 | 申请日： | 2015-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN107112374B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | D.达姆加诺维奇;M.格勒克勒;廖峰;A.罗斯;毛聃;B.米利伦;G.摩尔;R.鲍威尔;K.林;A.罗格林;J.特里维迪;赵志波 | 申请（专利权）人： | 第一阳光公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0296;H01L31/073;H01L31/18;H01L31/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐晶;杨思捷 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 光伏装置包括衬底结构和至少一个含Se层，例如CdSeTe层。制造所述光伏装置的方法包括通过溅射、蒸发沉积、CVD、化学浴沉积工艺和蒸气传输沉积工艺中的至少一种在衬底上形成CdSeTe层。所述方法还可包括控制所述含Se层的厚度范围。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光伏装置，包括：衬底；在所述衬底上形成的薄导电氧化物(TCO)层；背接触；和在所述TCO层和所述背接触之间形成的含Se吸收剂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
