[发明专利]太阳能电池用基板的制造方法及太阳能电池用基板在审
| 申请号： | 201580072513.6 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN107148681A | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 大塚宽之;白井省三 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/22;H01L21/316;H01L21/324;H01L31/068 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 李英艳,张永康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是一种太阳能电池用基板的制造方法，所述太阳能电池用基板由单晶硅构成，所述制造方法的特征在于，具有以下步骤制作单晶硅棒；由前述单晶硅棒切出硅基板；以及，以800℃以上且低于1200℃的温度对前述硅基板进行低温热处理；并且，在进行前述低温热处理前，以1200℃以上的温度对前述单晶硅棒或前述硅基板进行30秒以上的高温热处理。由此，提供一种太阳能电池用基板的制造方法，所述太阳能电池用基板即使当基板的氧浓度较多时，也可以抑制基板的少数载流子寿命下降。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 用基板 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池用基板的制造方法，所述太阳能电池用基板由单晶硅构成，所述制造方法的特征在于，具有以下步骤：制作单晶硅棒；由所述单晶硅棒切出硅基板；以及，以800℃以上且低于1200℃的温度对所述硅基板进行低温热处理；并且，在进行所述低温热处理前，以1200℃以上的温度对所述单晶硅棒或所述硅基板进行30秒以上的高温热处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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