[发明专利]同时进行的光刻胶表面的亲水改性和金属表面准备:方法、系统和产品在审
申请号: | 201580072728.8 | 申请日: | 2015-11-12 |
公开(公告)号: | CN107429418A | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 埃里克·舒尔特 | 申请(专利权)人: | 安托士设备系统公司 |
主分类号: | C25D7/12 | 分类号: | C25D7/12;C25D5/34;C25D5/02;H01L21/288 |
代理公司: | 上海脱颖律师事务所31259 | 代理人: | 脱颖 |
地址: | 美国新罕*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 使用还原‑化学组成大气压等离子体的下游活性残留物的方法和系统,从而为用简单设备进行预覆镀表面准备提供多个优点。当所述大气压等离子体的下游活性形态撞击基板表面时,可以同时进行三个重要的表面准备过程1.从所述覆镀基底的表面除去有机残留物。2.从所述覆镀基底的所述表面除去氧化。3.基板上的所有表面都被下游活性残留物高度活化,由此为后续覆镀操作创建可高度润湿的表面。 | ||
搜索关键词: | 同时 进行 光刻 表面 改性 金属表面 准备 方法 系统 产品 | ||
【主权项】:
一种集成电路制造方法,包括如下顺序操作:a)制作具有部分装配的集成电路的晶片,所述晶片包括覆盖金属层;b)将有机光刻胶材料施加到所述具有部分装配的集成电路的晶片,并且使所述光刻胶材料图案化,以在所述覆盖金属层中预先确定的位置之上在所述光刻胶材料中形成孔;c)通过等离子体放电使气流流动,以产生在所述图案化的光刻胶材料之上流动的活化气流;其中所述活化气流包括等离子体‑活化的还原形态,包括高能氦原子,包括等离子体‑活化的氮,并且在大约大气压力下流动,与所述晶片靠得很近,以便从所述光刻胶的表面排除室内大气;d)使用镀浴在所述预先确定的位置处将导电材料电镀到所述金属层上,以由此在所述孔的位置处形成覆镀金属层;其中步骤c)在不需要灰化的情况下对所述图案化的光刻胶进行清除浮渣,并且使得所述光刻胶材料更具亲水性,并且还原金属区域上的氧化物,并且使所述金属区域钝化以防再氧化;其中所述镀浴润湿所述暴露的金属层和光刻胶材料,包括润湿所述孔的侧壁,并且由此在所述镀浴流过所述孔时避免气泡的形成。
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