[发明专利]含基于锡的P型氧化物半导体的薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201580073131.5 | 申请日： | 2015-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN107210189B | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 野村健二 | 申请（专利权）人： | 追踪有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/477;H01L27/12;H01L29/24;H01L21/34;H01L29/786;G09G3/20;G09G3/34 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供显示良好薄膜晶体管TFT特性的p型金属氧化物半导体薄膜。所述p型金属氧化物薄膜包含三元或更高阶基于锡(基于Sn)的p型氧化物，例如Sn(II)‑M‑O氧化物，其中M是金属。在一些实施方案中，M是选自周期表的d区或p区的金属。本文所揭示的氧化物展现p型导电和宽带隙。还提供包含包括p型氧化物半导体的沟道的TFT，以及制造方法。在一些实施方案中，所述p沟道TFT具有低断开电流。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化物 半导体 薄膜晶体管 应用 | ||
【主权项】：
1.一种包括薄膜晶体管TFT的设备，所述TFT包括：源极电极；漏极电极；以及半导体沟道，其连接所述源极电极和所述漏极电极，所述半导体沟道包含三元或更高阶基于锡(基于Sn)的p型氧化物，其中所述三元或更高阶基于Sn的p型氧化物包括Sn(II)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
