[发明专利]场发射光源在审
| 申请号： | 201580073512.3 | 申请日： | 2015-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN107210185A | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 乔纳斯·迪伦;希尔米沃尔坎·德米尔 | 申请（专利权）人： | 光学实验室公司（瑞典）;南洋理工大学 |
| 主分类号： | H01J63/04 | 分类号： | H01J63/04;H01J63/06;H01J61/30 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司33100 | 代理人： | 刘晓春 |
| 地址： | 瑞典乌普*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种场发射光源，特别地，涉及一种小型场发射光源，其可以使用晶圆级水平制造的概念以低成本大量制造，即是，与IC’s和MEMS所使用的方法类似。本发明还涉及一种包括至少一个场发射光源的照明装置。场发射光源包括‑场发射阴极(106)，所述场发射阴极包括多个纳米结构(104)，所述纳米结构形成在基板上；‑导电阳极结构(108)，所述导电阳极结构包括第一波长转换材料(118)，所述第一波长转换材料布置用于覆盖阳极结构的至少一部分，其中，第一波长转换材料配置为接收从场发射阴极发射的电子并发射第一波长范围的光，以及‑装置，所述装置用于在场发射阴极的基板和阳极结构之间形成一个安全密封且随后抽真空的腔室(106)，包括布置成环绕多个纳米结构的间隔结构(302，110)，其中，用于接收多个纳米结构的基板是晶片(102’)。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 光源 | ||
【主权项】：
一种场发射光源，包括：‑ 场发射阴极，所述场发射阴极包括多个纳米结构，所述纳米结构形成在基板上；‑ 导电阳极结构，所述导电阳极结构包括第一波长转换材料，所述第一波长转换材料布置用于覆盖阳极结构的至少一部分，其中，第一波长转换材料配置为接收从场发射阴极发射的电子并发射第一波长范围的光，以及‑ 装置，所述装置用于在场发射阴极的基板和阳极结构之间形成一个安全密封且随后抽真空的腔室，包括布置成环绕多个纳米结构的间隔结构，其中，用于接收多个纳米结构的基板是晶片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于光学实验室公司（瑞典）;南洋理工大学，未经光学实验室公司（瑞典）;南洋理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580073512.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
