[发明专利]磁性逻辑部件单元和用于操作磁性逻辑部件单元的方法有效
申请号: | 201580073547.7 | 申请日: | 2015-12-23 |
公开(公告)号: | CN107209233B | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | S.班迪伊拉 | 申请(专利权)人: | 克罗科斯科技公司 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张凌苗;刘春元 |
地址: | 法国格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 用于感测磁场的磁性逻辑部件(MLU)单元包括:磁性隧道结,其包括具有存储磁化的存储层、具有感测磁化的感测层、在存储层和感测层之间的隧道势垒层,以及固定层,所述固定层在低阈值温度下固定存储磁化并且在高阈值温度下使它自由;感测磁化可在低阈值温度和高阈值温度下自由地调准;存储层诱导交换偏置场,其与感测层磁耦合以使得感测磁化趋向于被调准为与存储磁化反平行或平行;隧道势垒层被配置用于生成隧道势垒层和感测层之间的提供附加交换偏置场的间接交换耦合。 | ||
搜索关键词: | 磁性 逻辑 部件 单元 用于 操作 方法 | ||
【主权项】:
一种用于感测磁场的磁性逻辑部件(MLU)单元(1),包括:磁性隧道结(2),所述磁性隧道结(2)包括具有存储磁化(230、234、235)的存储层(23)、具有感测磁化的感测层(21)、在存储层(23)和感测层(21)之间的隧道势垒层(22),以及固定层(24),所述固定层(24)在低阈值温度(TL)下固定存储磁化(230、234、235)并且在高阈值温度(TH)下使它自由;感测磁化(210)能在低阈值温度和高阈值温度下自由地调准;存储层(23)诱导与感测层(21)磁耦合的交换偏置场(60),以使得感测磁化(210)趋向于被调准为与存储磁化(230、234)反平行或平行;其特征在于:隧道势垒层(22)被配置用于生成隧道势垒层(22)和感测层(21)之间的间接交换耦合(70),从而提供附加交换偏置场(71)。
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